等到母猫生下第三只幼崽并独立完成照顾崽子时，神磊磊我妈才略放心的准备去洗手。

通过实验研究和第一性原理计算，郭芙解释了处理过的SnS2能带结构变化的基本物理原理。f）在不同功率强度的光照下，底喜原始（黑色）和经O2等离子体处理（红色）的SnS2的响应度和EQE。

神磊磊图5 SnS2器件的宽带光电特性a）原始SnS2器件的300~900nm的宽带光响应等值线图。【引言】2D二硫化锡（SnS2）带隙范围（2.2~2.4eV），郭芙吸收系数高达104 cm−1，是一种廉价、可持续的材料。f）在Vg=10V时，底喜原始（黑色）和经O2等离子体处理的SnS2（红色）FETs的相应输出特性。

神磊磊c）原始（黑色）和经O2等离子体处理的SnS2（红色）SnS2 FETs的Ids–Vd曲线。郭芙e）经O2等离子体处理的SnS2 FETs的相应输出特性。

底喜团队相关重要文献：Zhou,L.Gan,W.M.Tian,Q.Zhang,S.Y.Jin,H.Q.Li,Y.Bando,D.Golberg,T.Y.Zhai*,UltrathinSnSe2FlakesGrownByChemicalVaporDepositionforHighPerformancePhotodetectors,Adv.Mater.2015,22,8035-8041.Zhou,X.Z.Hu,S.S.Zhou,H.Y.Song,Q.Zhang,L.J.Pi,L.Li,H.Q.Li,J.T.Lü,T.Y.Zhai*,TunnelingDiodeBasedonWSe2/SnS2HeterostructureIncorporatingHighDetectivityandResponsivity,Adv.Mater.2018,30,1703286.Z.Hu,P.Huang,B.Jin,X.W.Zhang,H.Q.Li*,X.Zhou*,T.Y.Zhai*,Halide-InducedSelf-LimitedGrowthofUltrathinNonlayeredGeFlakesforHigh-PerformancePhototransistors,J.Am.Chem.Soc.2018,140,12909-12914.Lv,F.W.Zhuge*,F.J.Xie,X.J.Xiong,Q.F.Zhang,N.Zhang,Y.Huang,T.Y.Zhai*,Two-DimensionalBipolarPhototransistorEnabledbyLocalFerroelectricPolarization,Nat.Commun.2019,10,3331.Han,P.Huang,L.Li,F.K.Wang,P.Luo,K.L.Liu,X.Zhou,H.Q.Li,X.W.Zhang,Y.Cui*,T.Y.Zhai*,Two-dimensionalInorganicMolecularCrystals,Nat.Commun.2019,10,4728.F.K.Wang,T.Gao,Q. Zhang,Y. Hu,B. Jin,L. Li,X. Zhou,H.Q. Li,G.V.Tendeloo,T.Y. Zhai*,LiquidAlloyAssisted Growthof2DTernaryGa2In4S9toward High-PerformanceUVPhotodetection,Adv.Mater.2019,31,1806306.Luo,F.W.Zhuge*,F.K.Wang,L.Y.Lian,K.L.Liu,J.B.Zhang,T.Y.Zhai*,PbSeQuantumDotsSensitizedHigh-Mobility2DBi2O2SeNanosheetsforHigh-PerformanceandBroadbandPhotodetectionBeyond2µm,ACSNano2019, 13,9028-9037.Jin,F.Liang,Z.Y.Hu,P.Wei,K.L.Liu,X.Z.Hu,G.V.Tendeloo,Z.S.Lin,H.Q.Li,X.Zhou*,Q.H.Xiong*,T.Y.Zhai*, NonlayeredCdSeflakeshomojunctions, Adv.Funct.Mater. 2020,30,1908902.W.Shu,Q.J.Peng,P.Huang,Z.Xu,A.A.Suleiman,X.W.Zhang,X.D.Bai,X.Zhou*,T.Y.Zhai*,GrowthofUltrathinTernaryTeallite(PbSnS2)FlakesforHighlyAnisotropicOptoelectronics,Matter2020,2,977.F.K.Wang,Z.Zhang,Y.Zhang,A.M.Nie,W.Zhao,D.Wang,F.Q.Huang*,T.Y.Zhai*,HoneycomnRhI3FlakeswithHighEnvironmentalStabilityforOptoelectronics,Adv.Mater.2020,32,2001979.本文由木文韬翻译编辑。

神磊磊相关成果以题为Giant‐EnhancedSnS2 PhotodetectorswithBroadbandResponsethroughOxygenPlasmaTreatment发表在了Adv.Funct.Mater.上。（c）带有三个电极、郭芙光照窗口和水浴冷却系统的装置示意图。

底喜（f）刻蚀过程中添加或不添加Al3+的Ti3C2纳米片的紫外-可见吸收光谱。神磊磊（d）Ti3C2Tx-MXenes退火前后的O1s光谱。

2.3、郭芙纳米复合材料的杂化图四（a）左：Bi2WO6和Ti3C2的能级结构图。底喜（f）负载DOX的Ti3C2@mMSNs-RGD的pH和光热触发的药物释放示意图。